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中国电科:国产碳化硅器件和设备取得突破

时间:2023-04-27   访问量:455


  近日中国电科公布一系列成果,显示在国产碳化硅(SiC)设备及器件上取得突破。  

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  4月17日,中国电科宣布旗下55所与一汽联合研发的新款750V碳化硅功率芯片完成流片,全国产1200V塑封2in1碳化硅功率模块完成A样件试制。

  报道称,750V碳化硅功率芯片技术达到国际先进水平,目前已正式进入产品级测试阶段。

  在2in1碳化硅功率模块项目中,双方技术团队围绕新结构、新工艺、新材料开展联合攻关,实现芯片衬底与外延材料制备、芯片晶圆设计与生产、封装结构设计、塑封工艺开发与模块试制等关键环节全流程自主创新。

  据CCTV报道,55所此前已在国内率先突破了6英寸碳化硅MOSFET批产技术,碳化硅MOSFET器件在新能源汽车上批量应用,装车量达百万辆,处于国内领先地位,5G基站用氮化镓功率管和高线性二极管等系列产品性能及安全性国内领先。

  同时,在SiC定制化和研发难度较高的设备端,中国电科48所研制的碳化硅外延炉出货量同比大幅增长。

  据悉,由于碳化硅材料高熔点、高密度、高硬度的特性,使芯片具备了耐高压、耐高温、低损耗等优越性能,碳化硅外延生长炉是晶圆制造环节的专用核心装备。

  碳化硅外延生长炉,主要用于在碳化硅晶圆衬底上生长同质外延材料,每一颗碳化硅芯片都是基于外延层制造的结晶。48所技术专家表示,碳化硅外延生长炉是承接衬底和芯片制造的关键环节,直接影响芯片的等级和良率。

  早期国内碳化硅外延片研究和生产几乎全部依赖进口,48所通过自主研发,研制出完全对标国外设备性能的6英寸碳化硅外延炉,经过用户上线使用验证,设备的技术指标均达到行业应用的主流水平,有力支撑了国产碳化硅芯片产业的大规模快速发展。

  据报道,随着国家第三代半导体技术创新中心(湖南)的实体化运行,48所以外延、注入、氧化、激活等专用装备为核心,结合立式扩散炉、PVD等通用设备和半导体芯片生产线建线经验,实现国内从碳化硅外延到芯片核心设备的全覆盖,进一步助力国产碳化硅芯片制造“换道超车”。



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